Са брзим развојем нових енергетских возила, 5Г комуникација и вештачке интелигенције, полупроводници треће-генерације које представљају силицијум карбид (СиЦ) и галијум нитрид (ГаН) постали су кључно бојно поље у глобалној технолошкој конкуренцији. Као основни материјал за производњу полупроводничких уређаја, квалитет обраде подлога за плочице директно утиче на перформансе уређаја, поузданост и коначни принос. Међутим, полупроводнички материјали треће{4}}генерације генерално показују високу тврдоћу, високу ломљивост и одличну хемијску стабилност, што доводи до изазова као што су ниска ефикасност обраде, потешкоће у контроли оштећења испод површине и високи трошкови обраде-што намеће строже захтеве за алате и процесе за обраду.
У ствари, било да се ради о полупроводничким плочицама или напредним керамичким материјалима као што су глиница, цирконијум, силицијум нитрид и силицијум карбид, обрада се ослања на подршку алата од супертврдог материјала. Последњих година, пошто индустрија полупроводника захтева све-већу прецизност, квалитет површине и доследност, развој високо{2}}прецизних дијамантских алата постао је кључни фокус пажње индустрије.
Као кључни играч у кинеској индустрији алата за супертврде материјале, компанија је дуго специјализована за истраживање и развој, производњу и продају производа од супертврдих материјала. Акумулирао је велико искуство у развоју производа и примени у обради тврде и ломљиве керамике, камена, прецизних механичких компоненти и још много тога, постављајући чврсту основу за своју активну експанзију на тржиште прецизне обраде полупроводника.
За предузећа која се баве напредном прерадом керамике, полупроводничким материјалима треће{0}}генерације и производњом полупроводничке опреме, овај извештај ће истражити, из перспективе алата за обраду, техничке везе и разлике између инжењерске керамике и обраде полупроводничке керамике, нудећи нове увиде и референце за побољшање ефикасности обраде, квалитета површине и тврдог материјала и ломљивих материјала.