Прстен за таложење силицијум карбида високе-обе чистоће/прстен са ивицом

Прстен за таложење од силицијум карбида високе{0}}ће чистоће, који се обично назива ивичним прстеном или фокусним прстеном, је основна потрошна компонента у кључним процесним коморама као што су хемијско таложење паром (ЦВД) и јеткање у производњи полупроводника. Постављен је око периферије електростатичке стезне главе која држи плочицу, било у блиском контакту са ивицом плочице или одржавајући мали размак од ивице плочице. Његове примарне функције су да дефинише уједначену област дистрибуције плазме или реактивних гасова, заштити стезну главу од контаминације нуспроизводима-производа и обезбеди униформност процеса на ивици плочице. Ово директно утиче на уједначеност таложења или урезивања танког{5}}филма, стопе дефекта и укупан принос на целој плочици, посебно на ивицама. Степен чистоће силицијум карбида, обично специфициран као 4Н (99,99%) или 5Н (99,999%) и више, је критична детерминанта његових перформанси и обима примене.

• Екстремна чистоћа и ниска контаминација: Произведен од праха силицијум карбида високе-чистоће, са стандардним разредима 4Н (99,99%) и вишим-класом 5Н (99,999%), обезбеђује минимално ослобађање металних нечистоћа у окружењима високе-температуре која спречава стварање плазме. Избор између 4Н и 5Н зависи од осетљивости специфичног полупроводничког процеса на нивое нечистоћа.
• Изузетна висока{0}}отпорност на температуру: Са тачком топљења до 2700 степени, може да ради стабилно током дужих периода на уобичајеним температурама полупроводничког процеса (често преко 600 степени) без деформације или деградације перформанси, што је својство својствено и 4Н и 5Н разредима.
• Одлична отпорност на јеткање плазмом: У окружењима плазме са високом корозијом на бази флуора- или хлора-, силицијум карбид показује веома ниску стопу нагризања, нудећи знатно дужи век трајања у поређењу са материјалима као што су кварц или глиница.
• Добра топлотна и електрична проводљивост: Његова топлотна проводљивост је блиска оној код метала, што помаже у уједначености температуре на ивици плочице. Такође поседује подесиву електричну проводљивост, која помаже у стабилизацији плазма плашта и оптимизацији уједначености процеса.
• Висока тврдоћа и отпорност на хабање: Његова висока Мохс-ова тврдоћа омогућава отпорност на ерозију честица и механичко хабање током обраде, одржавајући глаткоћу површине.
• Висока механичка чврстоћа: Одржава структурни интегритет под високим температурама и термичким циклусом, спречавајући лом.

• Степен чистоће материјала: Дефинисано као 4Н (99,99%) и 5Н (99,999%). Укупни садржај металних нечистоћа је типично испод 100 ппм за 4Н и 10 ппм или ниже за 5Н, са кључним загађивачима као што су натријум, гвожђе и калцијум који се контролишу на нивоу делова на милијарду (ппб), посебно за 5Н материјал.
• Густина и порозност: Синтеровање велике-синтеровања је стандардно, са насипном густином већом од 3,10 г/цм³ и веома малом отвореном порозношћу (< 0.1%) to prevent gas permeation and particle retention.
• Отпорност: Подесива унутар опсега у складу са потребама процеса, обично између 0,1 и 100 Ω·цм, како би се испунили различити захтеви за електростатичку контролу и спајање плазме.
• Коефицијент термичке експанзије (ЦТЕ): Релативно низак (приближно 4,0 к 10⁻⁶ /К), приближан коефицијенту силицијумских плочица, обезбеђујући добро усклађивање током термичког циклуса и смањујући напрезање.
• Храпавост површине: Прецизно полирано до храпавости површине Ра која је обично мања од 0,4 μм. Глатка површина минимизира пријањање честица и олакшава чишћење.
• Прецизност димензија: Одликује се изузетно високом геометријском прецизношћу за унутрашњи/спољни пречник, равност и паралелизам (обично са толеранцијама унутар ±0,05 мм), обезбеђујући савршено уклапање са плочицом и стезном главом.
• Величина зрна: Фино-зрнаста структура (просечна величина зрна обично мања од 5 μм) помаже да се побољша механичка чврстоћа материјала и уједначеност отпорности на корозију.

Прстен за таложење силицијум карбида/ивични прстен високе{0}}чистоће је незаменљива компонента у напредној производњи полупроводника, са избором квалитета материјала (4Н према. 5Н) вођен захтевима процеса:

Хемијско таложење паре (ЦВД) и таложење атомског слоја (АЛД): Обезбеђује уједначену дебљину филма и својства на ивици плочице. 5Н ниво је често обавезан за најнапредније таложење логичких и меморијских уређаја због ултра-ниске контаминације металом.

Суво нагризање: Прецизно контролише профил јеткања на ивици плочице док штити електростатичку стезну главу. И 4Н и 5Н се широко користе, при чему се 5Н преферира за високо осетљиве процесе јеткања на напредним чворовима.

Чишћење плазмом: Помаже у одржавању стабилне границе плазме. 4Н степен може бити довољан за многе апликације за чишћење.

Напредни процесни чворови: У производњи логичких чипова од 28 нм и ниже, и напредних меморијских чипова (3Д НАНД, ДРАМ), екстремна чистоћа 5Н (99,999%+) високе- чистоће силицијум карбида је типично стандард за спречавање кварова и осигуравање приноса.

Сложени полупроводници: У производњи енергетских и РФ уређаја заснованих на ГаН, СиЦ-у, 4Н силицијум карбид високе{2}}чистоће се обично користи, који нуди одличну равнотежу перформанси, високу{3}отпорност на температуру и исплативост-за ове апликације.

Popularne oznake: Прстен за таложење силицијум карбида високе -прстен / ивични прстен високе-прстен за таложење силицијум карбида високе чистоће / ивични прстен произвођачи, добављачи, фабрика